Первый в мире двухмерный чип флэш-памяти, созданный с использованием технологии CMOS. © Фото: Fudan University
В Китае разработан революционный двухмерный чип флеш-памяти, использующий технологию построения интегральных микросхем CMOS, с кремниевым слоем толщиной всего в один атом. Это достижение обещает значительное ускорение обработки данных и повышение энергоэффективности, что имеет критическое значение для развития систем искусственного интеллекта. По информации китайской газеты China Daily, данная разработка потенциально может установить новый мировой стандарт в технологиях хранения данных.
Авторами этой передовой технологии является исследовательская группа из Фуданьского университета, а результаты их фундаментальной работы были опубликованы в престижном научном журнале Nature.
Как сообщает China Daily, новый чип уникален тем, что объединяет ультрабыстрое устройство флеш-памяти с комплементарной структурой металлооксидного полупроводника (CMOS) на основе кремния. Он способен выполнять восьмибитные командные операции, поддерживать 32-битные высокоскоростные параллельные операции и обеспечивать произвольный доступ к данным, достигая впечатляющей производительности ячейки памяти на уровне 94,3%. Скорость работы чипа значительно превосходит показатели современных технологий флеш-памяти, что делает его первой инженерной реализацией гибридного флеш-чипа, основанного на двухмерном кремнии.
В условиях быстрого развития технологий искусственного интеллекта наблюдается резкий рост спроса на более быстрый доступ к данным. Существующие технологии ограничены в скорости передачи информации и характеризуются высоким энергопотреблением, что создает значительные препятствия для дальнейшего прогресса.
Согласно информации, опубликованной на сайте Фуданьского университета, стандартные кремниевые чипы обычно имеют толщину пластин в несколько сотен микрон, а самые передовые — в несколько десятков нанометров. В отличие от них, двухмерные полупроводниковые материалы, примененные в новой разработке, обладают атомной толщиной, что составляет менее 1 нанометра.
Глава исследовательской группы, профессор Чжоу Пэн, отметил, что двухмерные полупроводники представляют собой принципиально новый класс материалов, которые до настоящего момента не использовались на мировых заводах по производству интегральных микросхем.
Ученые активно планируют сотрудничество с ведущими технологическими компаниями для ускорения внедрения этой инновации. Они выражают надежду, что их технология сможет кардинально трансформировать традиционную архитектуру памяти, открывая путь к более быстрой и значительно более энергоэффективной обработке колоссальных объемов данных, необходимых для продвинутых систем искусственного интеллекта и аналитики больших данных.
